Раскрыты новые подробности о 3нм-чипах
			            
                                    
                
Сегодня производитель опубликовал отчёт, в котором сообщается, что для производства новых процессоров будут применяться транзисторы FinFET, чья плотность равна 250 миллионам на квадратный миллиметр. Таким образом, плотность транзисторов в новых процессорах будет выше в три раза в сравнении с 7-нм изделиями. Например, в процессоре Kirin 990 5G, выпущенном компанией HUAWEI по 7-нм техпроцессу, плотность транзисторов составляет всего 90 миллионов на квадратный миллиметр.
Сообщается, что работать новинка будет на десять процентов быстрее аналога на 5 нанометрах, а потребление энергии новинкой должно существенно снизиться.
	Первые тестовые процессоры, выполненные по новому техпроцессу, появятся уже в 2021 году. В продажу новинка поступит не ранее начала 2022 года.
	
	Фото: TSMC
Технологии
Вячеслав Ларионов
			
	
Слух: Apple не станет переходить на USB Type-C
Samsung создаст превышающий возможности человеческого глаза фотодатчик